我們正處于半導(dǎo)體器件加工前所未有的時(shí)代。設(shè)備采購(gòu)更多地受地緣政治而非終端市場(chǎng)需求的支配，而每種設(shè)備類型的技術(shù)路線圖都已制定。盡管全球產(chǎn)能過(guò)剩和晶圓廠冗余日益加劇，加之代工廠和集成器件制造商（IDM）的低利用率和低利潤(rùn)，但晶圓制造設(shè)備（WFE）的收入仍有望增長(zhǎng)。
WFE供應(yīng)商的收入主要來(lái)自設(shè)備出貨量（占82%）以及服務(wù)和支持（占18%），到2024年，總額將達(dá)到1400億美元。到2030年，WFE的收入將達(dá)到1850億美元（2024-2030年復(fù)合年增長(zhǎng)率為4.8%）。
在設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，到2024年，圖案化設(shè)備將占據(jù)主導(dǎo)地位，其次是沉積設(shè)備、蝕刻和清洗設(shè)備、計(jì)量和檢測(cè)設(shè)備、減薄和化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備、離子注入設(shè)備以及晶圓鍵合設(shè)備。對(duì)于設(shè)備應(yīng)用，2024 - 2030 年 WFE 資本支出將由先進(jìn)邏輯設(shè)備、DRAM、NAND 主導(dǎo)，而傳統(tǒng)邏輯和專用設(shè)備 WFE 資本支出現(xiàn)在進(jìn)入消化階段。
2024年，WFE出貨量總收入達(dá)1150億美元，主要來(lái)自總部位于美國(guó)的公司，其次是歐洲、中東和非洲（EMEA）、日本、大中華區(qū)和其他地區(qū)。然而，WFE制造地域的前景則截然不同，主要來(lái)自歐洲、中東和非洲（EMEA）、日本、東南亞地區(qū)、美國(guó)等地區(qū)。
WFE的大部分收入來(lái)自大中華區(qū)的芯片制造商，其次是韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣和美國(guó)。WFE專用供應(yīng)鏈非常復(fù)雜。傳統(tǒng)上，頂級(jí)WFE供應(yīng)商憑借其對(duì)子系統(tǒng)供應(yīng)鏈的控制以及近期的大量庫(kù)存，保持市場(chǎng)領(lǐng)先地位，導(dǎo)致WFE與子系統(tǒng)市場(chǎng)趨勢(shì)脫節(jié)。
設(shè)備設(shè)計(jì)、技術(shù)和架構(gòu)的變化都會(huì)影響設(shè)備要求，進(jìn)而影響形態(tài)，進(jìn)而影響子系統(tǒng)要求。所有供應(yīng)鏈都必須適應(yīng)每個(gè)制造節(jié)點(diǎn)的變化。
2024年至 2030 年技術(shù)創(chuàng)新的主要驅(qū)動(dòng)力是邏輯設(shè)備架構(gòu)的轉(zhuǎn)變：從 FinFET 到 GAA，再到帶有供電網(wǎng)絡(luò) (PDN) 的 GAA 和 CFET；采用 EUV 光刻技術(shù)的 2DRAM；架構(gòu)變?yōu)?4F2 以及邏輯/內(nèi)存晶圓分離；NAND 超晶格層增加并可能過(guò)渡到多堆棧；非硅材料在特種設(shè)備上的進(jìn)步；先進(jìn)封裝方案的激增；光掩模行業(yè)的創(chuàng)新；以及工程晶圓。WFE供應(yīng)商不僅提供工藝硬件，還提供完整的工藝解決方案。因此，他們需要考慮半導(dǎo)體行業(yè)上下游的問(wèn)題?！笆ケ笔莿?chuàng)造多功能。
先進(jìn)封裝技術(shù)推動(dòng)半導(dǎo)體后端設(shè)備空前增長(zhǎng)
受半導(dǎo)體制造日益復(fù)雜化以及人工智能、汽車和高性能計(jì)算 (HPC) 需求增長(zhǎng)的推動(dòng)，半導(dǎo)體后端設(shè)備行業(yè)正經(jīng)歷顯著增長(zhǎng)。芯片鍵合機(jī)、倒裝芯片鍵合機(jī)、引線鍵合、晶圓減薄、切割以及計(jì)量與檢測(cè)等關(guān)鍵細(xì)分市場(chǎng)是市場(chǎng)擴(kuò)張的核心。對(duì)于先進(jìn)封裝和高帶寬存儲(chǔ)器集成至關(guān)重要的 TCB 和混合鍵合細(xì)分市場(chǎng)表現(xiàn)出顯著增長(zhǎng)。
在汽車電子和消費(fèi)設(shè)備的推動(dòng)下，芯片鍵合機(jī)和倒裝芯片鍵合機(jī)預(yù)計(jì)將實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)。引線鍵合在傳統(tǒng)應(yīng)用中保持穩(wěn)定的需求，而晶圓減薄和切割則受益于晶圓級(jí)封裝的進(jìn)步。計(jì)量與檢測(cè)在先進(jìn)封裝工藝的精密需求推動(dòng)下持續(xù)擴(kuò)張。領(lǐng)先的設(shè)備供應(yīng)商和代工廠繼續(xù)大力投資，反映出對(duì)市場(chǎng)動(dòng)態(tài)和長(zhǎng)期技術(shù)進(jìn)步的信心。
受地緣政治緊張局勢(shì)、技術(shù)發(fā)展和監(jiān)管變化的驅(qū)動(dòng)，半導(dǎo)體后端設(shè)備供應(yīng)鏈正面臨轉(zhuǎn)型，促使 K&S、Besi、ASMPT、DISCO 和 Hanmi 等主要供應(yīng)商進(jìn)行地域多元化布局。受人工智能、高性能計(jì)算 (HPC)、汽車電子和 5G 基礎(chǔ)設(shè)施增長(zhǎng)的推動(dòng)，對(duì)先進(jìn)封裝技術(shù)的需求正在快速增長(zhǎng)。包括臺(tái)積電、英特爾和三星在內(nèi)的領(lǐng)先代工廠和集成器件制造商 (IDM) 越來(lái)越關(guān)注混合鍵合技術(shù)。戰(zhàn)略合作與并購(gòu)?fù)癸@了供應(yīng)鏈內(nèi)部整合的加強(qiáng)。日月光 (ASE)、安靠 (Amkor)、長(zhǎng)電科技 (JCET)、硅品 (SPIL) 和力成科技 (Powertech) 等 OSAT 廠商正在拓展其在倒裝芯片和先進(jìn)封裝技術(shù)方面的能力，并強(qiáng)調(diào)戰(zhàn)略伙伴關(guān)系和技術(shù)合作。
在高性能計(jì)算 (HPC)、人工智能 (AI)、汽車電子和 5G 應(yīng)用領(lǐng)域?qū)ο冗M(jìn)封裝需求的推動(dòng)下，半導(dǎo)體后端技術(shù)正在快速發(fā)展。激光和等離子切割技術(shù)日益受到青睞，提高了半導(dǎo)體器件的精度并降低了機(jī)械應(yīng)力。晶圓減薄技術(shù)不斷發(fā)展，超薄研磨和化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)增強(qiáng)了晶圓的均勻性。如今，芯片鍵合機(jī)的精度、速度和多功能性均有提升，使汽車和消費(fèi)電子應(yīng)用受益。倒裝芯片鍵合創(chuàng)新技術(shù)支持更高的互連密度，這對(duì)于先進(jìn)的芯片和基板至關(guān)重要。混合鍵合技術(shù)已成為實(shí)現(xiàn)超高密度堆疊的關(guān)鍵互連技術(shù)。計(jì)量和檢測(cè)技術(shù)通過(guò)自動(dòng)化和高級(jí)分析技術(shù)提高了可靠性和合規(guī)性。